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內(nèi)容摘要：導(dǎo)讀：據(jù)外媒消息，韓國首爾國立大學(xué)成功研究出了新型Micro LED陣列，并且認(rèn)為，此技術(shù)突破了現(xiàn)階段Micro LED顯示技術(shù)的局限，Micro LED商業(yè)化進(jìn)程將由此而加快。據(jù)報(bào)道，韓國首爾國立大

　　導(dǎo)讀：據(jù)外媒消息，韓國韓國首爾國立大學(xué)成功研究出了新型Micro LED陣列，實(shí)現(xiàn)D商并且認(rèn)為，新突此技術(shù)突破了現(xiàn)階段Micro LED顯示技術(shù)的業(yè)化局限，Micro LED商業(yè)化進(jìn)程將由此而加快。進(jìn)程將加

　　據(jù)報(bào)道，韓國韓國首爾國立大學(xué)（SNU）的實(shí)現(xiàn)D商研究團(tuán)隊(duì)成功在100nm的藍(lán)寶石納米薄膜上生長出Micro LED陣列。

　　據(jù)論文顯示，新突SNU的業(yè)化材料科學(xué)和工程系團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)出一種藍(lán)寶石納米薄膜陣列，用于生長尺寸為4μm Χ 16μm的進(jìn)程將加Micro LED陣列。這種方法無需經(jīng)過等離子蝕刻工藝就能夠?qū)崿F(xiàn)Micro LED芯片的韓國單片化，提供更高的實(shí)現(xiàn)D商外量子效率（EQE）。


　　圖片來源: 《科學(xué)報(bào)告》/SNU

　　相比在平面基板上生長的新突氮化鎵基Micro LED，在藍(lán)寶石納米薄膜上生長Micro LED的業(yè)化新方法將Micro LED的位錯(cuò)密度降低了59.6%，內(nèi)量子效率（IQE）提高了44%。進(jìn)程將加此外，由此方法生長出的Micro LED的光致發(fā)光能力是前者的3.3倍。

　　同時(shí)，還可以通過機(jī)械力破壞藍(lán)寶石納米薄膜，因此，可輕易將Micro LED與基板分離并轉(zhuǎn)移至顯示驅(qū)動(dòng)背板上，簡化了制程，降低了成本。

　　研究團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，此技術(shù)突破克服了現(xiàn)階段Micro LED制造工藝的局限，將加快Micro LED顯示技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。

　　據(jù)悉，研究結(jié)果已發(fā)表在《科學(xué)報(bào)告》（Scientific Reports）雜志上。除了SNU研究者以外，三星尖端技術(shù)研究院（Samsung Advanced Institute of Technology）、韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）以及韓國光子技術(shù)研究所（Korea Photonics Institute）也參與了這項(xiàng)技術(shù)研究，并獲得三星未來技術(shù)推廣中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、韓國教育部BK21 Plus項(xiàng)目及韓國研究基金會(huì)（Korea Research Foundation）的支持。