芯研所3月26日消息，發(fā)布日前，核心NVIDIA發(fā)布H100 GPU核心，發(fā)布它專(zhuān)為AI及HPC高性能計(jì)算而生的核心超級(jí)GPU，擁有1.8萬(wàn)個(gè)CUDA核心。發(fā)布H100沒(méi)有使用傳聞的核心臺(tái)積電5nm，而是發(fā)布定制版的臺(tái)積電4nm工藝，名字為4N，核心而臺(tái)積電的發(fā)布4nm官方命名是N4，集成了超過(guò)800億晶體管，核心核心面積高達(dá)814mm2，發(fā)布作為對(duì)比的核心話，上代的發(fā)布A100核心是臺(tái)積電7nm工藝，542億晶體管，核心核心面積826mm2。發(fā)布



　　在面積幾乎相同的情況下，H100核心的晶體管密度提升了48%左右，不過(guò)比臺(tái)積電官方宣稱(chēng)的密度提升80%要少。NVIDIA上次使用臺(tái)積電定制工藝還要追溯到12nm圖靈時(shí)代，這次則是4nm工藝定制版，但是跟之前一樣，NVIDIA并沒(méi)有明確給出定制版4N工藝跟臺(tái)積電N4工藝區(qū)別有多少。

　　目前所知的差異主要是能效，4N工藝重點(diǎn)優(yōu)化了省電，雖然SXM版H100最高功耗有700W，但是PCIe 5.0版的功耗是350W，相比目前的A100核心的400W還低了，但性能提升是數(shù)倍的，可見(jiàn)能效之高。