三星宣布已量產(chǎn)3納米芯片 為全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司

圖片來源于三星半導(dǎo)體官方微博
與前幾代使用FinFET的納米芯片不同,三星使用的為全GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu),該架構(gòu)大大改善了功率效率。球首三星半導(dǎo)體官方微博表示,家量“相較三星5納米(nm)而言,產(chǎn)納優(yōu)化的米芯3納米(nm)工藝,性能提高23%,公司武漢江岸外圍美女服務(wù)vx《189-4143》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)功耗降低45%,星宣芯片芯片面積減少16%”。布已
據(jù)介紹,量產(chǎn)3nm GAA技術(shù)采用了更寬通的納米納米片,與采用窄通道納米線的為全GAA?技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技術(shù)上,三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度,優(yōu)化功耗和性能,從而能夠滿足客戶的多元需求。
此外,GAA的設(shè)計(jì)靈活性對(duì)設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO)非常有利,有助于實(shí)現(xiàn)更好的PPA 優(yōu)勢。與三星5nm工藝相比,第一代3nm工藝可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%;而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面積減少35%。
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