三星電子有限公司周四宣布，星宣芯片該公司已經(jīng)開始在其位于韓國的布已華城工廠大規(guī)模生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體芯片，是量產(chǎn)武漢江岸外圍美女服務(wù)vx《189-4143》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。


　　圖片來源于三星半導(dǎo)體官方微博

　　與前幾代使用FinFET的納米芯片不同，三星使用的為全GAA（Gate All Around）晶體管架構(gòu)，該架構(gòu)大大改善了功率效率。球首三星半導(dǎo)體官方微博表示，家量“相較三星5納米（nm）而言，產(chǎn)納優(yōu)化的米芯3納米（nm）工藝，性能提高23%，公司武漢江岸外圍美女服務(wù)vx《189-4143》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)功耗降低45%，星宣芯片芯片面積減少16%”。布已

　　據(jù)介紹，量產(chǎn)3nm GAA技術(shù)采用了更寬通的納米納米片，與采用窄通道納米線的為全GAA?技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技術(shù)上，三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度，優(yōu)化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。

　　此外，GAA的設(shè)計(jì)靈活性對(duì)設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO)非常有利，有助于實(shí)現(xiàn)更好的PPA 優(yōu)勢。與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。

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