三星公布新款“GDDR6W”顯存,帶寬和容量翻倍
作者:探索 來(lái)源:熱點(diǎn) 瀏覽: 【大 中 小】 發(fā)布時(shí)間:2025-12-04 02:43:03 評(píng)論數(shù):
據(jù)TechPowerUp消息,星公顯存三星今天公布了基于FOWLP技術(shù)開發(fā)的布新倍“GDDR6W”顯存,顯著提升帶寬和容量。和容麗江外圍女上門外圍上門外圍女(電話微信189-4469-7302)一二線及海外城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有

三星官方表示,量翻高性能、星公顯存大容量和高帶寬內(nèi)存解決方案正在幫助虛擬領(lǐng)域更接近現(xiàn)實(shí)。布新倍為滿足這一不斷增長(zhǎng)的和容市場(chǎng)需求,三星電子開發(fā)了業(yè)界首款下一代圖形 DRAM 技術(shù) —— GDDR6W (x64)。量翻


三星表示,星公顯存自發(fā)布以來(lái),布新倍GDDR6已經(jīng)有了顯著的和容麗江外圍女上門外圍上門外圍女(電話微信189-4469-7302)一二線及海外城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有改進(jìn)。去年7月,量翻三星開發(fā)了24 Gbps GDDR6型號(hào)。星公顯存GDDR6W使帶寬(性能)和容量翻倍,布新倍同時(shí)保持與GDDR6相同的和容大小。
如上圖所示,由于在相同尺寸的封裝中可以搭載兩倍的內(nèi)存芯片,圖形DRAM容量實(shí)現(xiàn)從16Gb增加到32Gb,帶寬和I/O數(shù)量從32增加到64。
FOWLP技術(shù)直接將內(nèi)存芯片安裝在硅晶圓上,而不是PCB。在此過(guò)程中,三星應(yīng)用了RDL技術(shù),從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的布線圖案。此外,由于不涉及PCB,因此減少了封裝的厚度并改善了散熱。
基于FOWLP的GDDR6W的高度為0.7毫米,比之前高度為1.1毫米的封裝薄36%。盡管芯片是多層的,但它仍然提供與現(xiàn)有GDDR6相同的熱特性和性能。然而,與GDDR6不同的是,由于每個(gè)封裝的I/O翻倍,基于FOWLP的GDDR6W的帶寬可以翻倍。
性能方面,GDDR6W在512個(gè)系統(tǒng)級(jí)I/O和每個(gè)引腳22Gpbs的傳輸速率下,可以產(chǎn)生1.4TB/s的帶寬。
三星電子在今年第二季度完成了GDDR6W產(chǎn)品的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化,還將通過(guò)與GPU合作伙伴的合作,將GDDR6W的應(yīng)用擴(kuò)展到筆記本電腦等小型設(shè)備以及用于AI和HPC應(yīng)用的新型高性能加速器。

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三星表示,星公顯存自發(fā)布以來(lái),布新倍GDDR6已經(jīng)有了顯著的和容麗江外圍女上門外圍上門外圍女(電話微信189-4469-7302)一二線及海外城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有改進(jìn)。去年7月,量翻三星開發(fā)了24 Gbps GDDR6型號(hào)。星公顯存GDDR6W使帶寬(性能)和容量翻倍,布新倍同時(shí)保持與GDDR6相同的和容大小。
如上圖所示,由于在相同尺寸的封裝中可以搭載兩倍的內(nèi)存芯片,圖形DRAM容量實(shí)現(xiàn)從16Gb增加到32Gb,帶寬和I/O數(shù)量從32增加到64。
FOWLP技術(shù)直接將內(nèi)存芯片安裝在硅晶圓上,而不是PCB。在此過(guò)程中,三星應(yīng)用了RDL技術(shù),從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的布線圖案。此外,由于不涉及PCB,因此減少了封裝的厚度并改善了散熱。
基于FOWLP的GDDR6W的高度為0.7毫米,比之前高度為1.1毫米的封裝薄36%。盡管芯片是多層的,但它仍然提供與現(xiàn)有GDDR6相同的熱特性和性能。然而,與GDDR6不同的是,由于每個(gè)封裝的I/O翻倍,基于FOWLP的GDDR6W的帶寬可以翻倍。
性能方面,GDDR6W在512個(gè)系統(tǒng)級(jí)I/O和每個(gè)引腳22Gpbs的傳輸速率下,可以產(chǎn)生1.4TB/s的帶寬。
三星電子在今年第二季度完成了GDDR6W產(chǎn)品的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化,還將通過(guò)與GPU合作伙伴的合作,將GDDR6W的應(yīng)用擴(kuò)展到筆記本電腦等小型設(shè)備以及用于AI和HPC應(yīng)用的新型高性能加速器。
