當(dāng)前位置： 當(dāng)前位置：首頁(yè) > 百科 > 三星公布新款“GDDR6W”顯存，帶寬和容量翻倍正文

　　據(jù)TechPowerUp消息，星公顯存三星今天公布了基于FOWLP技術(shù)開發(fā)的布新倍“GDDR6W”顯存，顯著提升帶寬和容量。和容麗江外圍女上門外圍上門外圍女（電話微信189-4469-7302）一二線及海外城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有



　　三星官方表示，量翻高性能、星公顯存大容量和高帶寬內(nèi)存解決方案正在幫助虛擬領(lǐng)域更接近現(xiàn)實(shí)。布新倍為滿足這一不斷增長(zhǎng)的和容市場(chǎng)需求，三星電子開發(fā)了業(yè)界首款下一代圖形 DRAM 技術(shù) —— GDDR6W (x64)。量翻




　　三星表示，星公顯存自發(fā)布以來(lái)，布新倍GDDR6已經(jīng)有了顯著的和容麗江外圍女上門外圍上門外圍女（電話微信189-4469-7302）一二線及海外城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有改進(jìn)。去年7月，量翻三星開發(fā)了24 Gbps GDDR6型號(hào)。星公顯存GDDR6W使帶寬（性能）和容量翻倍，布新倍同時(shí)保持與GDDR6相同的和容大小。

　　如上圖所示，由于在相同尺寸的封裝中可以搭載兩倍的內(nèi)存芯片，圖形DRAM容量實(shí)現(xiàn)從16Gb增加到32Gb，帶寬和I/O數(shù)量從32增加到64。

　　FOWLP技術(shù)直接將內(nèi)存芯片安裝在硅晶圓上，而不是PCB。在此過(guò)程中，三星應(yīng)用了RDL技術(shù)，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的布線圖案。此外，由于不涉及PCB，因此減少了封裝的厚度并改善了散熱。

　　基于FOWLP的GDDR6W的高度為0.7毫米，比之前高度為1.1毫米的封裝薄36%。盡管芯片是多層的，但它仍然提供與現(xiàn)有GDDR6相同的熱特性和性能。然而，與GDDR6不同的是，由于每個(gè)封裝的I/O翻倍，基于FOWLP的GDDR6W的帶寬可以翻倍。

　　性能方面，GDDR6W在512個(gè)系統(tǒng)級(jí)I/O和每個(gè)引腳22Gpbs的傳輸速率下，可以產(chǎn)生1.4TB/s的帶寬。

　　三星電子在今年第二季度完成了GDDR6W產(chǎn)品的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化，還將通過(guò)與GPU合作伙伴的合作，將GDDR6W的應(yīng)用擴(kuò)展到筆記本電腦等小型設(shè)備以及用于AI和HPC應(yīng)用的新型高性能加速器。