三星在 HBM 系列內(nèi)存芯片上似乎遇到了一些問題，消息今年 2 月就有傳聞稱三星電子向英偉達(dá)供應(yīng)的稱星存芯 HBM 內(nèi)存存在裂紋而被英偉達(dá)拉黑，不過三星隨即發(fā)布聲明進(jìn)行辟謠。內(nèi)能通

現(xiàn)在湯森路透發(fā)布消息稱三星向英偉達(dá)供應(yīng)的片因 HBM3 內(nèi)存芯片因?yàn)榇嬖诎l(fā)熱和功耗問題，沒有成功通過英偉達(dá)的發(fā)熱測(cè)試。

HBM 即高帶寬存儲(chǔ)器，和功耗問這是過英一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，主要適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的偉達(dá)場(chǎng)景組合，尤其是測(cè)點(diǎn)網(wǎng)圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換和轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備。試藍(lán)

英偉達(dá)的 AI 加速產(chǎn)品都需要極高的帶寬來提高性能，因此英偉達(dá)最初與 SK 海力士達(dá)成合作，稱星存芯由后者獨(dú)家供應(yīng) HBM3 內(nèi)存芯片。內(nèi)能通

不過從今年開始英偉達(dá)已經(jīng)開始接受三星電子和美光提供的片因 HBM3 內(nèi)存芯片，三家供應(yīng)商里當(dāng)前似乎也只有三星電子遇到問題，發(fā)熱目前英偉達(dá)的主力供應(yīng)商仍然是 SK 海力士。

消息稱三星從去年開始就一直在嘗試通過英偉達(dá)的 HBM3 和 HBM3E 的測(cè)試，其中 8 層和 12 層的 HBM3E 芯片最近的一次失敗測(cè)試結(jié)果在 4 月公布。

既然沒有成功通過英偉達(dá)測(cè)試，那么三星電子自然還不算是該芯片的供應(yīng)商，這種情況似乎也凸顯三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。

當(dāng)然英偉達(dá)有自己的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，三星其實(shí)也已經(jīng)向其他客戶供應(yīng)此類芯片，可能是英偉達(dá)的要求更高所以暫時(shí)三星還不搞定技術(shù)難題，只能看著 SK 海力士和美光了。

注：HBM3：指的是 HBM 第三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)里面還有不同的 “代” 比如 HBM3E，所以這里指的并不是第三代。

(責(zé)任編輯：焦點(diǎn))